石墨烯晶体管方法可以实现快速器件

该方法由加州大学洛杉矶分校的研究人员开发，可以制造出频率非常高的“自对准”石墨烯晶体管。

石墨烯是单层碳原子片，由于其原子的六边形晶格排列，具有优异的导电性和极低的电阻。

然而，单片石墨烯实际上导电性能很好，很难使电流停止。如果这种材料将来被用于微电子设备，比如用于控制电流以执行任务和计算的晶体管，这将是一个关键的绊脚石。

使用传统制造技术生产高性能石墨烯通常会导致石墨烯晶格的形状和性能受损，从而导致寄生电容和串联电阻等问题。

现在，加州大学洛杉矶分校的研究人员已经开发出一种成功的、可扩展的方法，用于制造带有转移栅极堆栈的自对准石墨烯晶体管。

在通过物理转移过程与大面积石墨烯集成之前，在牺牲基板上执行传统的光刻，沉积和蚀刻步骤，新方法解决并克服了传统制造的挑战。通过无损伤传输过程和自对准器件结构，该方法使自对准石墨烯晶体管具有迄今为止最高的截止频率-大于400GHz。

研究小组在《美国国家科学院院刊》上评论说:“我们的研究为大规模制造高性能石墨烯晶体管定义了一条独特的途径，并为未来石墨烯基器件在超高频电路中的应用提供了巨大的潜力。”